casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W ES.9B7
codice articolo del costruttore | MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W ES.9B7 |
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Numero di parte futuro | FT-MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W ES.9B7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W ES.9B7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | - |
Formato di memoria | - |
Tecnologia | - |
Dimensione della memoria | - |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W ES.9B7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W ES.9B7-FT |
MT29F8G01ADBFD12-ITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F8G01ADBFD12-ITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAM61A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAH4-IT:C
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAH4-ITS:C
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAH4-ITS:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAH4-S:C
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAH4-S:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAH4:C
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAWP-IT:C
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel