casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C
codice articolo del costruttore | MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C |
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Numero di parte futuro | FT-MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Dimensione della memoria | 4Gb (128M x 32)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) |
Frequenza di clock | 533MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.8V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 162-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 162-VFBGA (10.5x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C-FT |
MT52L256M32D1PF-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
EDB4432BBPA-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB4432BBPA-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PB-8D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PB-8D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
M58BW16FB5ZA3F
Micron Technology Inc.
M58BW16FB5ZA3F TR
Micron Technology Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel