casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT52L256M32D1PF-107 WT ES:B TR
codice articolo del costruttore | MT52L256M32D1PF-107 WT ES:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT52L256M32D1PF-107 WT ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT52L256M32D1PF-107 WT ES:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Dimensione della memoria | 8Gb (256M x 32) |
Frequenza di clock | 933MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.2V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 178-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 178-FBGA (11.5x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L256M32D1PF-107 WT ES:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT52L256M32D1PF-107 WT ES:B TR-FT |
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ADAGDWB-IT:G TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EF440F TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E IT:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E AAT:H
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E AIT:H
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-187E:H
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-187E:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E AUT:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E IT:H
Micron Technology Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel