casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / EDB8132B4PM-1D-F-R TR
codice articolo del costruttore | EDB8132B4PM-1D-F-R TR |
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Numero di parte futuro | FT-EDB8132B4PM-1D-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDB8132B4PM-1D-F-R TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Dimensione della memoria | 8Gb (256M x 32) |
Frequenza di clock | 533MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 168-WFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 168-FBGA (12x12) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB8132B4PM-1D-F-R TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EDB8132B4PM-1D-F-R TR-FT |
MT47H32M16NF-187E:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E AUT:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E IT:H
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E:H
Micron Technology Inc.
MT40A1G4RH-083E:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-083E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G4RH-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-083E:B
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 AAT:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 AAT:E TR
Micron Technology Inc.
A1020B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG256I
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F1020I4
Intel