casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR
codice articolo del costruttore | MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
Frequenza di clock | 533MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.8V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 162-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 162-VFBGA (10.5x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR-FT |
EDB8132B4PM-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
M58BW16FB5ZA3F
Micron Technology Inc.
M58BW16FB5ZA3F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128HSB8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT128HSB8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128HST8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT128HST8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT256JSB8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT256JSB8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel