casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M58LT256JSB8ZA6E
codice articolo del costruttore | M58LT256JSB8ZA6E |
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Numero di parte futuro | FT-M58LT256JSB8ZA6E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M58LT256JSB8ZA6E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frequenza di clock | 52MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 85ns |
Tempo di accesso | 85ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 80-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 80-LBGA (10x12) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M58LT256JSB8ZA6E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M58LT256JSB8ZA6E-FT |
MT40A512M8RH-083E:B
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 AAT:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 AAT:E TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 AIT:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 AIT:E TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 IT:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 M AIT:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 M:E
Micron Technology Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation