casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M58LT256JSB8ZA6E
codice articolo del costruttore | M58LT256JSB8ZA6E |
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Numero di parte futuro | FT-M58LT256JSB8ZA6E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M58LT256JSB8ZA6E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frequenza di clock | 52MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 85ns |
Tempo di accesso | 85ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 80-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 80-LBGA (10x12) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M58LT256JSB8ZA6E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M58LT256JSB8ZA6E-FT |
MT40A512M8RH-083E:B
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 AAT:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 AAT:E TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 AIT:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 AIT:E TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 IT:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 M AIT:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 M:E
Micron Technology Inc.
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel