casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F8G01ADAFD12-AATES:F TR
codice articolo del costruttore | MT29F8G01ADAFD12-AATES:F TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT29F8G01ADAFD12-AATES:F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT29F8G01ADAFD12-AATES:F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 8Gb (8G x 1) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F8G01ADAFD12-AATES:F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F8G01ADAFD12-AATES:F TR-FT |
MT29F512G08CUCABH3-12IT:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCABH3-12IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCDBJ6-6ITR:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUEDBJ6-12:D TR
Micron Technology Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel