casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B
codice articolo del costruttore | MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 768Gb (96G x 8) |
Frequenza di clock | 333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B-FT |
MT29F2G01ABAGD12-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGDM79A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAH4-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAM79A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel