casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E
codice articolo del costruttore | MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E-FT |
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR
Micron Technology Inc.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CUCCBH8-6:C
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CECCBH6-6:C
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CECCBH6-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C
Micron Technology Inc.
XC3S500E-4CPG132C
Xilinx Inc.
APA075-FG144A
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
XC7S6-1CSGA225C
Xilinx Inc.
10M04SAM153I7G
Intel
5AGXFB5H4F35I3N
Intel
EP2AGX260FF35C6N
Intel
EP20K100EFC324-3
Intel
EPF8636AQC160-3N
Intel