casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F2G08ABAGAH4-IT:G
codice articolo del costruttore | MT29F2G08ABAGAH4-IT:G |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F2G08ABAGAH4-IT:G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G08ABAGAH4-IT:G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABAGAH4-IT:G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F2G08ABAGAH4-IT:G-FT |
MT28HL64GRBB6EBL-0GCT
Micron Technology Inc.
MT28HL64GRBB6EBL-0GCT TR
Micron Technology Inc.
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F
Micron Technology Inc.
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR
Micron Technology Inc.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CUCCBH8-6:C
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR
Micron Technology Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel