casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F64G08CBCBBH1-10:B TR
codice articolo del costruttore | MT29F64G08CBCBBH1-10:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F64G08CBCBBH1-10:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F64G08CBCBBH1-10:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 64Gb (8G x 8) |
Frequenza di clock | 100MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F64G08CBCBBH1-10:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F64G08CBCBBH1-10:B TR-FT |
MT29F512G08CKCBBH7-6ITC:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKEABH7-12IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKECBH7-12:C
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKECBH7-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CLCCBG1-6R:C
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCABH7-6:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCABH7-6:A TR
Micron Technology Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel