casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F512G08CKCCBH7-6R:C
codice articolo del costruttore | MT29F512G08CKCCBH7-6R:C |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F512G08CKCCBH7-6R:C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 512Gb (64G x 8) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F512G08CKCCBH7-6R:C-FT |
MT29F4G01ABBFDWB-ITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABBFDWB-ITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ADAGDSF-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ADAGDSF-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-AT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-AT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-E:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-ITE:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-ITE:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAM60A3WC1
Micron Technology Inc.
LCMXO2280C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A12T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FG484
Microsemi Corporation
EP1AGX35CF484C6
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
EP4SGX530KH40C2
Intel
EP4SE820H35I3
Intel
XC2V4000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
AGL060V2-QNG132I
Microsemi Corporation