casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F512G08CMCABH7-6:A TR
codice articolo del costruttore | MT29F512G08CMCABH7-6:A TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F512G08CMCABH7-6:A TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F512G08CMCABH7-6:A TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 512Gb (64G x 8) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 152-TBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 152-TBGA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08CMCABH7-6:A TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F512G08CMCABH7-6:A TR-FT |
MT29F4G08ABADAH4-ITE:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-ITE:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAM60A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-AT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-AT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-E:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-E:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel