casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F64G08CBABBWP-12:B TR
codice articolo del costruttore | MT29F64G08CBABBWP-12:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F64G08CBABBWP-12:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F64G08CBABBWP-12:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 64Gb (8G x 8) |
Frequenza di clock | 83MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP I |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F64G08CBABBWP-12:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F64G08CBABBWP-12:B TR-FT |
MT29F512G08CKCABK7-6:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKCABK7-6:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKCBBH7-6C:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKCBBH7-6ITC:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKEABH7-12IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKECBH7-12:C
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKECBH7-12:C TR
Micron Technology Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel