casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F512G08CKCABK7-6:A

| codice articolo del costruttore | MT29F512G08CKCABK7-6:A |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-MT29F512G08CKCABK7-6:A |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT29F512G08CKCABK7-6:A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 512Gb (64G x 8) |
| Frequenza di clock | 166MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
| temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29F512G08CKCABK7-6:A Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | MT29F512G08CKCABK7-6:A-FT |

MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F TR
Micron Technology Inc.

MT29F4G01ABBFD12-AATES:F
Micron Technology Inc.

MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR
Micron Technology Inc.

MT29F4G01ABBFD12-ITES:F
Micron Technology Inc.

MT29F4G01ABBFD12-ITES:F TR
Micron Technology Inc.

MT29F4G01ABBFDWB-ITES:F
Micron Technology Inc.

MT29F4G01ABBFDWB-ITES:F TR
Micron Technology Inc.

MT29F4G01ADAGDSF-IT:G
Micron Technology Inc.

MT29F4G01ADAGDSF-IT:G TR
Micron Technology Inc.

MT29F4G08ABADAH4-AT:D
Micron Technology Inc.

XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.

EX64-TQ100A
Microsemi Corporation

A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation

M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation

A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation

EP20K100EFC144-3
Intel

10CL016YE144C8G
Intel

5SGXEA4K2F35C2L
Intel

LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation

10AX090U4F45I3LG
Intel