casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F64G08AKCBBH2-12:B
codice articolo del costruttore | MT29F64G08AKCBBH2-12:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F64G08AKCBBH2-12:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F64G08AKCBBH2-12:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 64Gb (8G x 8) |
Frequenza di clock | 83MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 100-TBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 100-TBGA (12x18) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F64G08AKCBBH2-12:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F64G08AKCBBH2-12:B-FT |
MT29F512G08AUEBBH8-12:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08AUEBBK8-12:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CECBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40C2L
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel