casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR
codice articolo del costruttore | MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 512Gb (64G x 8) |
Frequenza di clock | 100MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR-FT |
MT29F4G01ABAFD12-AATES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFD12-ITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFD12-ITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFDWB-IT:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABBFD12-ITES:F
Micron Technology Inc.
A1020B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG256I
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F1020I4
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