casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR
codice articolo del costruttore | MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 512Gb (64G x 8) |
Frequenza di clock | 267MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR-FT |
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01AAADDHC-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFD12-AATES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFD12-ITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFD12-ITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFDWB-IT:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F TR
Micron Technology Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel