casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A
codice articolo del costruttore | MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 512Gb (64G x 8) |
Frequenza di clock | 333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A-FT |
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUCABH3-10Z:A
Micron Technology Inc.
XCS20-3TQ144I
Xilinx Inc.
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
LAE5UM-45F-7BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
XC4010E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-10FFG668C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EPF10K50VRI240-3
Intel