casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A
codice articolo del costruttore | MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 1Tb (128G x 8) |
Frequenza di clock | 333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A-FT |
MT25QL256ABA1EW9-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25QL256ABA1EW9-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25QU256ABA1EW7-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QU256ABA8ESF-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QU256ABA8ESF-MSIT
Micron Technology Inc.
MT25QU256ABA8ESF-MSIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QU512ABB8E56-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL01GBBB8ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL256BBA8ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL512BBA8E12-0AAT
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel