casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B TR
codice articolo del costruttore | MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 256Gb (32G x 8) |
Frequenza di clock | 167MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B TR-FT |
MT25QU256ABA8ESF-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QU256ABA8ESF-MSIT
Micron Technology Inc.
MT25QU256ABA8ESF-MSIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QU512ABB8E56-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL01GBBB8ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL256BBA8ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL512BBA8E12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL512BBA8E12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL512BBA8ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL512HBA8E12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation