casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B
codice articolo del costruttore | MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 512Gb (64G x 8) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B-FT |
MT29F4G08ABADAWP-E:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-S:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-S:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F
Micron Technology Inc.
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel