casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F4G08ABAEAH4:E

| codice articolo del costruttore | MT29F4G08ABAEAH4:E |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-MT29F4G08ABAEAH4:E |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT29F4G08ABAEAH4:E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Frequenza di clock | - |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
| temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 63-VFBGA (9x11) |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29F4G08ABAEAH4:E Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | MT29F4G08ABAEAH4:E-FT |

MT29F2T08CQHBBG2-3R:B TR
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CQHBBG2-3RES:B TR
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CTCBBJ7-6C:B
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CTCBBJ7-6R:B TR
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CTCCBJ7-6C:C
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CTCCBJ7-6C:C TR
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C TR
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CUCBBK9-37:B
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CUCBBK9-37:B TR
Micron Technology Inc.

LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation

XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.

AX125-FG256I
Microsemi Corporation

5CGXFC7D6F27I7N
Intel

5SGSMD6K1F40I2N
Intel

5SGXEA4K3F35I3N
Intel

XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.

A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation

ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation

EP4SGX360FF35C2XN
Intel