casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F4G08ABAEAH4-IT:E
codice articolo del costruttore | MT29F4G08ABAEAH4-IT:E |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT29F4G08ABAEAH4-IT:E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F4G08ABAEAH4-IT:E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-VFBGA (9x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G08ABAEAH4-IT:E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F4G08ABAEAH4-IT:E-FT |
MT29F2G16ABBFAH4:F
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBFAH4:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CQCBBG2-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CQHBBG2-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CQHBBG2-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CQHBBG2-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CTCBBJ7-6C:B
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CTCBBJ7-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CTCCBJ7-6C:C
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CTCCBJ7-6C:C TR
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel