casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F32G08ABCDBJ4-6:D
codice articolo del costruttore | MT29F32G08ABCDBJ4-6:D |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F32G08ABCDBJ4-6:D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F32G08ABCDBJ4-6:D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 32Gb (4G x 8) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 132-VBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 132-VBGA (12x18) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F32G08ABCDBJ4-6:D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F32G08ABCDBJ4-6:D-FT |
MT29F256G08CMCBBH2-10:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCBBH2-10IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCDBJ5-6ITR:D
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCGBJ4-37ES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMEDBJ5-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMEDBJ5-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel