casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F32G08AECBBH1-12:B
codice articolo del costruttore | MT29F32G08AECBBH1-12:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F32G08AECBBH1-12:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F32G08AECBBH1-12:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 32Gb (4G x 8) |
Frequenza di clock | 83MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 100-VBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 100-VBGA (12x18) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F32G08AECBBH1-12:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F32G08AECBBH1-12:B-FT |
MT29F256G08CMCGBJ4-37ES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMEDBJ5-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMEDBJ5-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMHGBJ4-3R:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-M
Micron Technology Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel