casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F4G16ABADAWP:D
codice articolo del costruttore | MT29F4G16ABADAWP:D |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F4G16ABADAWP:D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F4G16ABADAWP:D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G16ABADAWP:D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F4G16ABADAWP:D-FT |
MT29F32G08ABCABH1-10:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABCDBJ4-6:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABEABM73A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABEABM73A3WC1P
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABEDBJ4-12:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABEDBJ4-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECBBH1-12:B
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECBBH1-12:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECBBH1-12IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECBBH1-12IT:B TR
Micron Technology Inc.
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation