casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F4G08ABAFAM70A3WC1

| codice articolo del costruttore | MT29F4G08ABAFAM70A3WC1 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-MT29F4G08ABAFAM70A3WC1 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | * |
| MT29F4G08ABAFAM70A3WC1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo di memoria | - |
| Formato di memoria | - |
| Tecnologia | - |
| Dimensione della memoria | - |
| Frequenza di clock | - |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | - |
| Tensione - Fornitura | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29F4G08ABAFAM70A3WC1 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | MT29F4G08ABAFAM70A3WC1-FT |

MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C TR
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CUCBBK9-37:B
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CUCBBK9-37:B TR
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CUCBBK9-37ES:B
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CVCBBG6-6C:B
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CVCBBG6-6R:B TR
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CVCCBG6-6C:C
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CVCCBG6-6R:C
Micron Technology Inc.

MT29F2T08CWCBBJ7-6R:B TR
Micron Technology Inc.

XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.

XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.

XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.

EPF10K200SFC672-3
Intel

EP4CGX150CF23I7
Intel

LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation

EP2SGX130GF40C5NES
Intel

10AX048E2F29I1SG
Intel

10AX016E3F27E1HG
Intel

EP20K60EFC324-2
Intel