casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F2T08CWCBBJ7-6R:B TR
codice articolo del costruttore | MT29F2T08CWCBBJ7-6R:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F2T08CWCBBJ7-6R:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2T08CWCBBJ7-6R:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 2Tb (256G x 8) |
Frequenza di clock | 167MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2T08CWCBBJ7-6R:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F2T08CWCBBJ7-6R:B TR-FT |
MT29F256G08CMAAAC5:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMAAAC5:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABH2-12Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABH2-12Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABK3-10Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABK3-10Z:A TR
Micron Technology Inc.
XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XCV100E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
XC5VLX110-2FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SG
Intel
EP20K200CB652C7ES
Intel
EPF8820AQC160-3
Intel