casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR
codice articolo del costruttore | MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 2Tb (256G x 8) |
Frequenza di clock | 333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR-FT |
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKEDBJ5-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMAAAC5:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMAAAC5:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABH2-12Z:A
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel