casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR

| codice articolo del costruttore | MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 2Tb (256G x 8) |
| Frequenza di clock | 333MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 3.6V |
| temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR-FT |

MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D TR
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CKEDBJ5-12:D
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CKEDBJ5-12:D TR
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CKEDBJ5-12IT:D TR
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CMAAAC5:A
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CMAAAC5:A TR
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A TR
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CMCABH2-12Z:A
Micron Technology Inc.

EPF8820ATC144-3
Intel

M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation

5SGXEB6R2F43C2L
Intel

EP4SE360F35C4
Intel

XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.

XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.

A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation

A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation

EP3CLS100F780I7
Intel

EP1S25F1020I6N
Intel