casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR
codice articolo del costruttore | MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR-FT |
MT29F256G08AUCDBJ6-6IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUCDBJ6-6IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUEDBJ6-12:D
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUEDBJ6-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBJ4-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBJ4-5M:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBWP-10:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel