casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F256G08AUEDBJ6-12:D
codice articolo del costruttore | MT29F256G08AUEDBJ6-12:D |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F256G08AUEDBJ6-12:D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F256G08AUEDBJ6-12:D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 256Gb (32G x 8) |
Frequenza di clock | 83MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08AUEDBJ6-12:D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F256G08AUEDBJ6-12:D-FT |
MT29F1G08ABBFAM78A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBDAH4-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBDAHC:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBDAM68A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAH4:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E
Micron Technology Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel