casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F256G08CBCBBJ4-37:B TR
codice articolo del costruttore | MT29F256G08CBCBBJ4-37:B TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT29F256G08CBCBBJ4-37:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F256G08CBCBBJ4-37:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 256Gb (32G x 8) |
Frequenza di clock | 267MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CBCBBJ4-37:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F256G08CBCBBJ4-37:B TR-FT |
MT29F1G16ABBDAM68A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAH4:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAHC:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAHC:E TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
10AX027E1F29I1HG
Intel