casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES
codice articolo del costruttore | MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | - |
Formato di memoria | - |
Tecnologia | - |
Dimensione della memoria | - |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES-FT |
MT29F256G08AKEBBH7-12:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AMCBBH7-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AMCBBH7-6IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AMCBBH7-6IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AMCBBK7-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AMEBBH7-12:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AMEBBK7-12:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08APEDBJ6-12:D
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel