casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F256G08AMEBBH7-12:B
codice articolo del costruttore | MT29F256G08AMEBBH7-12:B |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT29F256G08AMEBBH7-12:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F256G08AMEBBH7-12:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 256Gb (32G x 8) |
Frequenza di clock | 83MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08AMEBBH7-12:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F256G08AMEBBH7-12:B-FT |
MT29F1G08ABADAWP-E:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABADAWP-ITE:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAFAM78A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBDAH4-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBDAH4-ITE:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBDAH4:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBDAHC-IT:D TR
Micron Technology Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel