casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR
codice articolo del costruttore | MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 256Gb (32G x 8) |
Frequenza di clock | 83MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR-FT |
MT29F1G08ABADAWP-ITE:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAFAM78A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBDAH4-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBDAH4-ITE:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBDAH4:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBDAHC-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBDAM68A3WC1
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel