casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F256G08CMCBBH2-10:B
codice articolo del costruttore | MT29F256G08CMCBBH2-10:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F256G08CMCBBH2-10:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F256G08CMCBBH2-10:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 256Gb (32G x 8) |
Frequenza di clock | 100MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 100-TBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 100-TBGA (12x18) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CMCBBH2-10:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F256G08CMCBBH2-10:B-FT |
MT29F1T08CUECBH8-12:C
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CUECBH8-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECCBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECCBBJ4-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECCBBJ4-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel