casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A TR
codice articolo del costruttore | MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 1Tb (128G x 8) |
Frequenza di clock | 333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A TR-FT |
MT29F16G16ADACAH4:C
Micron Technology Inc.
MT29F16G16ADACAH4:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G16ADBCAH4-IT:C
Micron Technology Inc.
MT29F16G16ADBCAH4-IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G16ADBCAH4:C
Micron Technology Inc.
MT29F16G16ADBCAH4:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G01AAADDH4-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G01AAADDH4:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABAFD12-AATES:F
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABAFDM78A3WC1
Micron Technology Inc.
XC2S100-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC5202-5PQ100C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
APA300-FG256M
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208
Microsemi Corporation
EP20K600CF672C8
Intel
10CL010YU256C8G
Intel
5SGSMD5H3F35I3LN
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC7K355T-2FF901I
Xilinx Inc.