casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B
codice articolo del costruttore | MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 1.125Tb (144G x 8) |
Frequenza di clock | 333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B-FT |
MT29F1G01AAADDH4-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G01AAADDH4:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABAFD12-AATES:F
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABAFDM78A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABAFDSF-IT:F
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABAFDSF-IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABBFDM78A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABBFDSF-IT:F
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABBFDSF-IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABADAH4-E:D
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel