casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F128G08CECGBJ4-37R:G
codice articolo del costruttore | MT29F128G08CECGBJ4-37R:G |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F128G08CECGBJ4-37R:G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F128G08CECGBJ4-37R:G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 128Gb (16G x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F128G08CECGBJ4-37R:G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F128G08CECGBJ4-37R:G-FT |
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CKCCBH7-6:C
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D TR
Micron Technology Inc.
MT29E64G08CBCDBJ4-6:D
Micron Technology Inc.
LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation