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Micron Technology Inc. MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Name: MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Availability: InStock
Rating: 4.8 (594 reviews)

Numero parte MFG: MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

quantità disponibile: 40510 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Micron Technology Inc.

Breve descrizione: - IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Memoria

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR.pdf

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MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR specificazioni

codice articolo del costruttore	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Numero di parte futuro	FT-MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo di memoria	Non-Volatile
Formato di memoria	FLASH
Tecnologia	FLASH - NAND
Dimensione della memoria	512Gb (64G x 8)
Frequenza di clock	333MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	-
Tempo di accesso	-
Interfaccia di memoria	Parallel
Tensione - Fornitura	2.5V ~ 3.6V
temperatura di esercizio	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio	-
Pacchetto / caso	-
Pacchetto dispositivo fornitore	-
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR-FT

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