casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR
codice articolo del costruttore | MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 512Gb (64G x 8) |
Frequenza di clock | 167MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR-FT |
MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT
Micron Technology Inc.
MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT TR
Micron Technology Inc.
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT
Micron Technology Inc.
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT
Micron Technology Inc.
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT TR
Micron Technology Inc.
MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT
Micron Technology Inc.
MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT TR
Micron Technology Inc.
MT29C4G48MAYAMAKC-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C4G48MAYAPAKD-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT
Micron Technology Inc.
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel