casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F128G08CECDBJ4-6ITR:D TR

| codice articolo del costruttore | MT29F128G08CECDBJ4-6ITR:D TR |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-MT29F128G08CECDBJ4-6ITR:D TR |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT29F128G08CECDBJ4-6ITR:D TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 128Gb (16G x 8) |
| Frequenza di clock | 166MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29F128G08CECDBJ4-6ITR:D TR Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | MT29F128G08CECDBJ4-6ITR:D TR-FT |

MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E4T08EYHBBG9-3:B
Micron Technology Inc.

MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B
Micron Technology Inc.

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E512G08CKCCBH7-6:C
Micron Technology Inc.

MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR
Micron Technology Inc.

MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A
Micron Technology Inc.

A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation

LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation

5SGSED8K3F40I4N
Intel

10CX150YF672E6G
Intel

5SGXEA9N3F45I4N
Intel

LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation

10AX115H3F34E2SG
Intel

EP3SE50F780C4
Intel