casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29C8G96MAAAEBACKD-5 WT
codice articolo del costruttore | MT29C8G96MAAAEBACKD-5 WT |
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Numero di parte futuro | FT-MT29C8G96MAAAEBACKD-5 WT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29C8G96MAAAEBACKD-5 WT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
Dimensione della memoria | 8Gb (1G x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29C8G96MAAAEBACKD-5 WT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29C8G96MAAAEBACKD-5 WT-FT |
MT29C1G12MAADVAMD-5 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADVAML-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADYAKD-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADYAKD-5 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADYAKE-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADYAKE-5 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADYAMD-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADYAMD-5 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADYAML-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAAIAFAMD-6 IT
Micron Technology Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel