casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29C4G96MAYBACJG-5 WT
codice articolo del costruttore | MT29C4G96MAYBACJG-5 WT |
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Numero di parte futuro | FT-MT29C4G96MAYBACJG-5 WT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29C4G96MAYBACJG-5 WT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 168-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 168-VFBGA (12x12) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29C4G96MAYBACJG-5 WT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29C4G96MAYBACJG-5 WT-FT |
MT29C1G12MAACYAKD-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAACYAKD-5 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAACYAMD-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAACYAMD-5 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAACYAML-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADAEAKC-6 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT TR
Micron Technology Inc.
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel