casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29C1G56MAACAVAMD-6 IT
codice articolo del costruttore | MT29C1G56MAACAVAMD-6 IT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT29C1G56MAACAVAMD-6 IT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29C1G56MAACAVAMD-6 IT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8)(NAND), 256Mb (8M x 32)(LPDRAM) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 130-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 130-VFBGA (8x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29C1G56MAACAVAMD-6 IT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29C1G56MAACAVAMD-6 IT-FT |
MT25TL256HBA8ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL512BAA1ESF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL512BAA1ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL512BBA8ESF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL512HAA1ESF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL512HAA1ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL512HBA8E12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT28EW01GABA1HPC-1SIT
Micron Technology Inc.
MT28EW01GABA1HPC-1SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW128ABA1HPC-1SIT TR
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel