casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT TR
codice articolo del costruttore | MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 130-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 130-VFBGA (8x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT TR-FT |
MT25TL256HAA1ESF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL256HAA1ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL256HBA8ESF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL256HBA8ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL512BAA1ESF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL512BAA1ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL512BBA8ESF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL512HAA1ESF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL512HAA1ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL512HBA8E12-0AAT
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40C2L
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel