casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT
codice articolo del costruttore | MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT |
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Numero di parte futuro | FT-MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
Dimensione della memoria | 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 130-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 130-VFBGA (8x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT-FT |
MT25QU01GBBB8ESF-0SIT
Micron Technology Inc.
MT25QU02GCBB8E12-0SIT
Micron Technology Inc.
MT25QU128ABA1ESE-MSIT
Micron Technology Inc.
MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QU128ABB1EW7-CAUT
Micron Technology Inc.
MT25QU128ABB1EW7-CAUT TR
Micron Technology Inc.
MT25QU128ABB1EW7-CSIT
Micron Technology Inc.
MT25QU128ABB1EW7-CSIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QU128ABB8ESF-0AUT
Micron Technology Inc.
MT25QU128ABB8ESF-0AUT TR
Micron Technology Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel