casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT25QU01GBBB8ESF-0SIT
codice articolo del costruttore | MT25QU01GBBB8ESF-0SIT |
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Numero di parte futuro | FT-MT25QU01GBBB8ESF-0SIT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT25QU01GBBB8ESF-0SIT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 2.8ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOP2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25QU01GBBB8ESF-0SIT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT25QU01GBBB8ESF-0SIT-FT |
M58LR256KB70ZQ5F TR
Micron Technology Inc.
M58LR256KB70ZQ5W TR
Micron Technology Inc.
M58LR256KB70ZQ5Z
Micron Technology Inc.
M58LR256KT70ZC5F TR
Micron Technology Inc.
M58LR256KT70ZQ5E
Micron Technology Inc.
M58LR256KT70ZQ5F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128KSB7ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT128KSB7ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128KSB8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT128KSB8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel