casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT25QU01GBBB8ESF-0SIT
codice articolo del costruttore | MT25QU01GBBB8ESF-0SIT |
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Numero di parte futuro | FT-MT25QU01GBBB8ESF-0SIT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT25QU01GBBB8ESF-0SIT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 2.8ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOP2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25QU01GBBB8ESF-0SIT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT25QU01GBBB8ESF-0SIT-FT |
M58LR256KB70ZQ5F TR
Micron Technology Inc.
M58LR256KB70ZQ5W TR
Micron Technology Inc.
M58LR256KB70ZQ5Z
Micron Technology Inc.
M58LR256KT70ZC5F TR
Micron Technology Inc.
M58LR256KT70ZQ5E
Micron Technology Inc.
M58LR256KT70ZQ5F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128KSB7ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT128KSB7ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128KSB8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT128KSB8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation