casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR
codice articolo del costruttore | MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 128Mb (16M x 8) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 2.8ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR-FT |
M58LR256KT70ZC5F TR
Micron Technology Inc.
M58LR256KT70ZQ5E
Micron Technology Inc.
M58LR256KT70ZQ5F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128KSB7ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT128KSB7ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128KSB8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT128KSB8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128KST7ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT128KST7ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128KST8ZA6E
Micron Technology Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
EP4CGX15BF14C7N
Intel
XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel