casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR
codice articolo del costruttore | MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 128Mb (16M x 8) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 2.8ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR-FT |
M58LR256KT70ZC5F TR
Micron Technology Inc.
M58LR256KT70ZQ5E
Micron Technology Inc.
M58LR256KT70ZQ5F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128KSB7ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT128KSB7ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128KSB8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT128KSB8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128KST7ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT128KST7ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128KST8ZA6E
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel